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CRF plasma 等離子清洗機

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等離子體處理設備的結構能夠從哪幾個方面詳細了解?

       根據用途的不一樣,能夠選取各種結構的等離子清洗設備,經過選取不一樣種類的氣體,調整裝置的特征參數,最大限度地優化工藝流程。但是,等離子體處理設備的基本結構大致相同。一般裝置可由真空室、真空泵、高壓電源、電極、氣體導入系統、鑄件傳輸系統和控制系統組成。常用的真空泵是轉動油泵,高壓電源往往是13.56兆赫茲無線電波。設備的運行過程如下:
(1)等離子體處理設備清洗過的鑄件被送進真空室并固定,啟動運轉裝置,開始排氣,使真空室真空度達到十帕上下的規范真空度。一般排氣時間2分鐘上下。
(2)將等離子體處理設備中使用的氣體引入真空室,并將其壓力保持在100帕。根據清洗材料的不一樣,能夠選取氧氣、氫氣、氬氣或氮氣。
(3)在真空室的電極和接地裝置之間施加高頻電壓,破壞氣體,經過電弧放電形成離子和等離子體。將真空室形成的等離子體完全涵蓋處理鑄件,并開始清洗操作。往往清潔處理持續幾十秒到幾分鐘。
(4)等離子體處理設備清洗后,切斷高頻電壓,排出氣體和氣化污垢,將空氣鼓入真空室,將氣壓升至大氣壓。
接下來,我們將介紹等離子清洗設備在半導體中的應用。由于半導體技術的不斷發展,對半導體芯片表層質量,特別是表層質量明確提出了更好的規范。其中,晶片表面微粒和金屬雜質的污染將嚴重影響設備的質量和產量。當前集成電路生產中,由于芯片表面的污染,材料的損耗仍超過50%。

等離子體處理設備

      半成品過程中,幾乎每一個工序都要進行清洗,晶片清洗質量嚴重影響設備的性能。但是,由于半導體制造需要有機和無機物質的參與,工藝總是由凈化室的人進行,半導體晶片不可避免地會被各種雜質污染。正是因為晶圓清洗是半導體制造過程中非常重要和頻繁的一步,制造商首選等離子體處理設備技術,消除晶圓表面的顆粒、有機物、金屬離子和氧化物,提高芯片設備的良率、性能和可靠性。

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